Micron Technology MT46H8M32LFB5-6IT
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MT46H8M32LFB5-6IT
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DRAM LPDRAM, 8Mb, 1.8V, 90-ball VFBGA, RoHS
1最小包装量--
MT46H8M32LFB5-6IT详情
Micron Technology MT46H8M32LFB5-6IT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
90
Package Description
VFBGA, BGA90,9X15,32
Package Style
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
8000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA90,9X15,32
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
30
Access Time-Max
5.5 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
MT46H8M32LFB5-6IT
Clock Frequency-Max (fCLK)
166 MHz
Number of Words
8388608 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
VFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Micron Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.69
Part Package Code
BGA
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.24
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
90
JESD-30代码
R-PBGA-B90
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
电源
1.8 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.14 mA
组织结构
8MX32
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1 mm
内存宽度
32
待机电流-最大值
0.00001 A
记忆密度
268435456 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
4096
顺序突发长度
2,4,8
交错突发长度
2,4,8
访问模式
四库页面突发
自我刷新
YES
宽度
8 mm
长度
13 mm
MT46H8M32LFB5-6IT拓展信息







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