Micron Technology MT47H32M16BN-3E
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MT47H32M16BN-3E详情
Micron Technology MT47H32M16BN-3E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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表面安装
YES
终端数量
84
Operating Temperature Max Deg. C
70C
Product Depth (mm)
50.8(mm)
Mounting Styles
Screw
Isolation Voltage (Min)
3000VAC(V)
Operating Temperature Min Deg. C
-20C
Rad Hardened
无
RoHS
Non-Compliant
Package Description
FBGA, BGA84,9X15,32
Package Style
GRID ARRAY, FINE PITCH
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Words Code
32000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA84,9X15,32
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
0.45 ns
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
MT47H32M16BN-3E
Clock Frequency-Max (fCLK)
333 MHz
Number of Words
33554432 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
FBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Micron Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.61
Usage Level
Commercial grade
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
类型
Regulated
端子表面处理
哑光锡
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
11
JESD-30代码
R-PBGA-B84
输出的数量
1
资历状况
不合格
效率
88(%)
输出电压
12(V)
工作电源电压
1.8 V
电源
1.8 V
输出电流
5.4(A)
输出功率
65(W)
组织结构
32MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.007 A
记忆密度
536870912 bit
筛选水平
Commercial
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
4,8
交错突发长度
4,8
产品长度(mm)
88.9(mm)
产品高度(mm)
33.1(mm)
无铅
无铅
MT47H32M16BN-3E拓展信息








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