Micron Technology MT47H64M8B6-3:D
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MT47H64M8B6-3:D
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DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 64Mx8 1.8V 60-Pin FBGA Tray
--最小包装量--
MT47H64M8B6-3:D详情
Micron Technology MT47H64M8B6-3:D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
60
终端数量
60
RoHS
Compliant
Package Description
TFBGA, BGA60,9X11,32
Package Style
网格排列
Number of Words Code
64000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA60,9X11,32
Reflow Temperature-Max (s)
30
Access Time-Max
0.45 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
MT47H64M8B6-3:D
Clock Frequency-Max (fCLK)
333 MHz
Number of Words
67108864 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
TFBGA
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
Micron Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.6
Part Package Code
BGA
JESD-609代码
e1
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
0 °C
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.28
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
60
JESD-30代码
S-PBGA-B60
资历状况
不合格
工作电源电压
1.8 V
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
电源
1.8 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
最大电源电压
1.9 V
最小电源电压
1.7 V
端口的数量
1
电源电流
180 mA
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.24 mA
访问时间
450 ps
组织结构
64MX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
地址总线宽度
16 b
密度
512 Mb
待机电流-最大值
0.007 A
记忆密度
536870912 bit
最高频率
667 MHz
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
4,8
交错突发长度
4,8
访问模式
四库页面突发
自我刷新
YES
宽度
10 mm
长度
10 mm
无铅
无铅
MT47H64M8B6-3:D拓展信息







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