Micron Technology MT47H64M8JN-25E IT:G TR
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MT47H64M8JN-25E IT:G TR
1616-MT47H64M8JN-25E IT:G TR
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DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 64Mx8 1.8V 60-Pin FBGA T/R
1最小包装量--
MT47H64M8JN-25E IT:G TR详情
Micron Technology MT47H64M8JN-25E IT:G TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
60
Voltage, Rating
100 V
Case Code - in
0805
Case Code - mm
2012
Maximum Operating Temperature
+ 155 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
5000
Mounting Styles
PCB 安装
Part # Aliases
8-2176483-4
Manufacturer
TE Connectivity
Brand
TE Connectivity / Holsworthy
RoHS
Details
系列
RA73
包装
Reel
容差
0.1 %
温度系数
25 PPM / C
类型
氮化铝电阻器
电阻
4.02 kOhms
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
子类别
Resistors
额定功率
1 W
技术
Thin Film
终端样式
SMD/SMT
工作电源电压
1.8 V
最大电源电压
1.9 V
最小电源电压
1.7 V
电源电流
125 mA
访问时间
400 ps
地址总线宽度
16 b
产品类别
薄膜电阻器
密度
512 Mb
最高频率
800 MHz
产品
精密薄膜贴片电阻器
产品类别
Thin Film Resistors - SMD
宽度
1.25 mm
高度
0.43 mm
长度
2 mm
辐射硬化
无
MT47H64M8JN-25E IT:G TR拓展信息







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