Micron Technology MT49H16M36HT-25E:A
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MT49H16M36HT-25E:A
1616-MT49H16M36HT-25E:A
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MT49H16M36HT-25E:A详情
Micron Technology MT49H16M36HT-25E:A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
引脚数
144
终端数量
144
RoHS
Compliant
Part Package Code
BGA
Risk Rank
5.7
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Part Life Cycle Code
Obsolete
Manufacturer
Micron Technology Inc
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
TBGA
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Number of Words
16777216 words
Clock Frequency-Max (fCLK)
400 MHz
Manufacturer Part Number
MT49H16M36HT-25E:A
Rohs Code
有
Operating Temperature-Max
70 °C
Access Time-Max
0.2 ns
Reflow Temperature-Max (s)
30
Package Equivalence Code
BGA144,12X18,40/32
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Number of Words Code
16000000
Moisture Sensitivity Levels
3
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE
Package Description
TBGA, BGA144,12X18,40/32
JESD-609代码
e1
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
自动刷新
HTS代码
8542.32.00.32
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
144
JESD-30代码
R-PBGA-B144
资历状况
不合格
工作电源电压
1.8 V
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
电源
1.5/1.8,1.8,2.5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
1.105 mA
组织结构
16MX36
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
36
待机电流-最大值
0.053 A
记忆密度
603979776 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
顺序突发长度
2,4,8
访问模式
多库页面突发
长度
18.5 mm
宽度
11 mm
无铅
无铅
MT49H16M36HT-25E:A拓展信息







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