Micron Technology MT49H8M36BM-25
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MT49H8M36BM-25
1616-MT49H8M36BM-25
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DRAM Chip RLDRAM 288M-Bit 8Mx36 1.8V 144-Pin U-BGA Tray
1最小包装量--
MT49H8M36BM-25详情
Micron Technology MT49H8M36BM-25重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Obsolete (Last Updated: 2 years ago)
表面安装
YES
引脚数
144
终端数量
144
Voltage Rating (DC)
1.8 V
RoHS
Compliant
Package Description
LEAD FREE, MICRO, BGA-144
Package Style
网格排列
Number of Words Code
8000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA144,12X18,40/32
Reflow Temperature-Max (s)
30
Access Time-Max
0.25 ns
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
MT49H8M36BM-25
Clock Frequency-Max (fCLK)
400 MHz
Number of Words
8388608 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
BGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Micron Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.69
Part Package Code
BGA
JESD-609代码
e1
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
最高工作温度
95 °C
最小工作温度
0 °C
附加功能
自动刷新
HTS代码
8542.32.00.28
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
unknown
频率
400 MHz
引脚数量
144
JESD-30代码
R-PBGA-B144
资历状况
不合格
工作电源电压
1.8 V
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
电源
1.5/1.8,1.8,2.5 V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
电压
1.8 V
最大电源电压
1.9 V
最小电源电压
1.7 V
端口的数量
1
电源电流
882 mA
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
8MX36
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
0.93 mm
内存宽度
36
地址总线宽度
22 b
密度
288 Mb
记忆密度
301989888 bit
最高频率
400 MHz
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
顺序突发长度
2,4,8
访问模式
多库页面突发
电源电压(直流)
1.8 V
宽度
11 mm
长度
18.5 mm
无铅
无铅
MT49H8M36BM-25拓展信息







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