Micron Technology MT4HTF3264HY-667F1

底架

Socket

表面安装

NO

引脚数

200

终端数量

200

ECCN (US)

EAR99

HTS

8542.32.00.32

Module

DRAM模块

Module Density

256Mbyte

Number of Chip per Module

4

Chip Density (bit)

512M

Data Bus Width (bit)

64

Maximum Clock Rate (MHz)

667

Chip Configuration

32Mx16

Minimum Operating Supply Voltage (V)

1.7

Typical Operating Supply Voltage (V)

1.8

Maximum Operating Supply Voltage (V)

1.9

Operating Current (mA)

1000

Minimum Operating Temperature (°C)

0

Maximum Operating Temperature (°C)

70

Supplier Temperature Grade

Commercial

Module Sides

Single

ECC Support

无

Number of Ranks

Single

Number of Chip Banks

4

CAS Latency

5

PC Type

PC2-5300

SPD EEPROM Support

有

Standard Package Name

DIM

Supplier Package

SODIMM

Mounting

Socket

Package Height

30(Max)

Package Length

67.75(Max)

Package Width

2.45(Max)

PCB changed

200

Lead Shape

No Lead

Number of Elements

4

RoHS

Compliant

Package Style

微电子组件

Number of Words Code

32000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

DIMM200,24

Access Time-Max

0.45 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MT4HTF3264HY-667F1

Clock Frequency-Max (fCLK)

333 MHz

Number of Words

33554432 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

DIMM

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Micron Technology Inc

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MICRON TECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.84

包装

Tray

零件状态

Obsolete

最高工作温度

70 °C

最小工作温度

0 °C

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

端子间距

0.6 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

200

JESD-30代码

R-PDMA-N200

资历状况

不合格

工作电源电压

1.8 V

电源

1.8 V

温度等级

COMMERCIAL

最大电源电压

1.9 V

最小电源电压

1.7 V

电源电流-最大值

1.4 mA

数据总线宽度

64 b

组织结构

32Mx64

输出特性

3-STATE

内存宽度

64

待机电流-最大值

0.028 A

记忆密度

2147483648 bit

最高频率

667 MHz

锁相环

无

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR内存模块

刷新周期

8K

自我刷新

有

模块类型

200SODIMM

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无