Micron Technology MT4LC4M4E8TG-5
- 收藏
- 对比
MT4LC4M4E8TG-5
1616-MT4LC4M4E8TG-5
无类别的
--
大陆
立即发货

4M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO24
1最小包装量--
MT4LC4M4E8TG-5详情
Micron Technology MT4LC4M4E8TG-5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
24
RoHS
Non-Compliant
Package Description
0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Number of Words Code
4000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSOP24/26,.36
Reflow Temperature-Max (s)
30
Access Time-Max
50 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
MT4LC4M4E8TG-5
Number of Words
4194304 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Code
TSOP2
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Micron Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank
7.88
Part Package Code
TSOP
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
235
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
26/24
JESD-30代码
R-PDSO-G24
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3.3 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3 V
端口的数量
1
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.11 mA
组织结构
4MX4
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
4
待机电流-最大值
0.0005 A
记忆密度
16777216 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
EDO DRAM
刷新周期
2048
访问模式
FAST PAGE WITH EDO
自我刷新
NO
宽度
7.62 mm
长度
17.14 mm
MT4LC4M4E8TG-5拓展信息







哦! 它是空的。