MT53B512M32D2NP-062 WT ES:C TR
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Micron Technology MT53B512M32D2NP-062 WT ES:C TR

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型号

MT53B512M32D2NP-062 WT ES:C TR

utmel 编号

1616-MT53B512M32D2NP-062 WT ES:C TR

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA DDP

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MT53B512M32D2NP-062 WT ES:C TR
MT53B512M32D2NP-062 WT ES:C TR Micron Technology DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA DDP

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MT53B512M32D2NP-062 WT ES:C TR详情

Micron Technology MT53B512M32D2NP-062 WT ES:C TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • Unit Weight

    0.618529 oz

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    20

  • Mounting Styles

    通孔

  • Contact Materials

    Silver Nickel (AgNi)

  • Manufacturer

    TE Connectivity

  • Brand

    TE Connectivity / AMP

  • RoHS

    Details

  • 包装

    Bulk

  • 类型

    Miniature

  • 子类别

    Relays

  • 触点额定电流

    8 A

  • 触点终端

    焊针

  • 触点形式

    DPDT (2 Form C)

  • 产品类别

    通用继电器

  • 切换电压

    400 VAC

  • 产品

    功率继电器

  • 产品类别

    通用继电器

  • 线圈终端

    焊针

  • 宽度

    29 mm

  • 高度

    15.7 mm

  • 长度

    29 mm

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MT53B512M32D2NP-062 WT ES:C TR拓展信息

M28W320FCB70N6E
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Micron Technology Inc.

M29W800DB70N6E
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JS28F512M29EWHA
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M29W320EB70ZE6E
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Micron Technology Inc.

M29W160EB70ZA6E
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MT48LC16M16A2P-7E:G
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M29W160EB70N6E
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M29W160ET70N6E
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PC28F00AM29EWHA
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