Micron Technology MT53D384M32D2DS-046 AIT:E TR
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MT53D384M32D2DS-046 AIT:E TR
1616-MT53D384M32D2DS-046 AIT:E TR
存储器
200-WFBGA
大陆
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IC SDRAM LPDDR4 12GBIT 384MX32 F
1最小包装量--
MT53D384M32D2DS-046 AIT:E TR详情
Micron Technology MT53D384M32D2DS-046 AIT:E TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
--
包装/外壳
200-WFBGA
供应商器件包装
200-WFBGA (10x14.5)
Lead Free Status / RoHS Status
--
Contact Materials
--
For Use With/Related Products
--
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
MT53D384
厂商
Micron Technology Inc.
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
系列
--
操作温度
-40°C ~ 95°C (TC)
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
--
技术
SDRAM - Mobile LPDDR4
电压 - 供电
1.1V
方向
--
触点表面处理
--
终端样式
--
电压
--
内存大小
12Gbit
时钟频率
2.133 GHz
内存格式
DRAM
内存接口
-
保险丝类型
--
写入周期时间 - 字符、页面
-
保险丝尺寸
1/4 Dia x 1 1/4 L (6.4mm x 31.8mm)
熔断器类型
--
组织的记忆
384M x 32
MT53D384M32D2DS-046 AIT:E TR拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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