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Micron Technology MT53D512M32D2DS-053 AAT ES:D

Name: MT53D512M32D2DS-053 AAT ES:D
Brand: Micron Technology
SKU: 1616-MT53D512M32D2DS-053 AAT ES:D
Availability: InStock
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对比

型号

MT53D512M32D2DS-053 AAT ES:D

品牌

Micron Technology

utmel 编号

1616-MT53D512M32D2DS-053 AAT ES:D

商品类别

存储器

封装

200-WFBGA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MT53D512M32D2DS-053 AAT ES:D datasheet pdf and Memory product details from Micron Technology stock available at utmel

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MT53D512M32D2DS-053 AAT ES:D Micron Technology

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MT53D512M32D2DS-053 AAT ES:D详情

技术参数

Micron Technology MT53D512M32D2DS-053 AAT ES:D重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

200-WFBGA
供应商器件包装

200-WFBGA (10x14.5)
PPAP

Unknown
Automotive

Unknown
ECCN (US)

EAR99
EU RoHS

供应商未确认
Package

Tray
Base Product Number

MT53D512
厂商

Micron Technology Inc.
Product Status

活跃
Memory Types

Volatile
操作温度

-40°C ~ 105°C (TC)
系列

Automotive, AEC-Q100
零件状态

Unconfirmed
技术

SDRAM - Mobile LPDDR4
电压 - 供电

1.1V
内存大小

16Gbit
时钟频率

1.866 GHz
内存格式

DRAM
内存接口

-
写入周期时间 - 字符、页面

-
组织的记忆

512M x 32

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