Micron Technology MT53E1536M32D4DE-046 WT:B TR
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MT53E1536M32D4DE-046 WT:B TR
1616-MT53E1536M32D4DE-046 WT:B TR
存储器
200-TFBGA
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LPDDR4 48G 1.5GX32 FBGA QDP
1最小包装量--
MT53E1536M32D4DE-046 WT:B TR详情
Micron Technology MT53E1536M32D4DE-046 WT:B TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
200-TFBGA
供应商器件包装
200-TFBGA (10x14.5)
Package
Bulk
厂商
PEI-Genesis
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
系列
*
操作温度
-25°C ~ 85°C (TC)
技术
SDRAM - Mobile LPDDR4X
电压 - 供电
1.06V ~ 1.17V
内存大小
48Gbit
时钟频率
2.133 GHz
访问时间
3.5 ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
18ns
组织的记忆
1.5G x 32
MT53E1536M32D4DE-046 WT:B TR拓展信息
Micron Technology Inc.
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