Micron Technology MT53E1536M32D4DE-046 WT ES:C
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MT53E1536M32D4DE-046 WT ES:C
1616-MT53E1536M32D4DE-046 WT ES:C
存储器
200-TFBGA
大陆
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LPDDR4 48GBIT 32 200/264 TFBGA 4
1最小包装量--
MT53E1536M32D4DE-046 WT ES:C详情
Micron Technology MT53E1536M32D4DE-046 WT ES:C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
200-TFBGA
供应商器件包装
200-TFBGA (10x14.5)
Package
Box
厂商
Micron Technology Inc.
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1360
Part # Aliases
618625-TRAY
Manufacturer
美光技术
Brand
Micron
RoHS
Details
操作温度
-25°C ~ 85°C (TC)
系列
-
子类别
Memory & Data Storage
技术
SDRAM - Mobile LPDDR4X
电压 - 供电
1.06V ~ 1.17V
内存大小
48Gbit
时钟频率
2.133 GHz
访问时间
3.5 ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
18ns
产品类别
DRAM
产品类别
DRAM
组织的记忆
1.5G x 32
MT53E1536M32D4DE-046 WT ES:C拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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