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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 安装类型 | 包装/外壳 | 供应商器件包装 | 厂商 | 操作温度 | 系列 | 尺寸/尺寸 | 类型 | 技术 | 电压 - 供电 | 频率 | 频率稳定性 | ESR（等效串联电阻） | 内存大小 | 负载电容 | 操作模式 | 频率容差 | 时钟频率 | 内存格式 | 内存接口 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 组织的记忆 | 座位高度(最大) | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53E1G32D2FW-046 AAT:A TR | Micron Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 4-SMD, No Lead | 200-TFBGA (10x14.5) | Bulk | Suntsu Electronics, Inc. | 活跃 | Volatile | -30°C ~ 85°C | SXT214 | 0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm) | 兆赫晶体 | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 24 MHz | ±30ppm | 120 Ohms | 32Gbit | 18pF | Fundamental | ±30ppm | 2.133 GHz | DRAM | Parallel | 18ns | 1G x 32 | 0.020 (0.50mm) |
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