MT53E1G32D2FW-046 IT:B
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Micron Technology MT53E1G32D2FW-046 IT:B

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型号

MT53E1G32D2FW-046 IT:B

utmel 编号

1616-MT53E1G32D2FW-046 IT:B

商品类别

存储器

封装

200-TFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DRAM Chip LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1G X 32 1.8V 200-Pin TFBGA

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MT53E1G32D2FW-046 IT:B
MT53E1G32D2FW-046 IT:B Micron Technology DRAM Chip LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1G X 32 1.8V 200-Pin TFBGA

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MT53E1G32D2FW-046 IT:B详情

Micron Technology MT53E1G32D2FW-046 IT:B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    200-TFBGA

  • 供应商器件包装

    200-TFBGA (10x14.5)

  • Package

    Box

  • 厂商

    Micron Technology Inc.

  • Product Status

    活跃

  • Memory Types

    Volatile

  • DRAM Type

    LPDDR4

  • MSL

    MSL 3 - 168 hours

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1360

  • Manufacturer

    美光技术

  • Brand

    Micron

  • RoHS

    Details

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • 操作温度

    -40°C ~ 95°C (TC)

  • 系列

    -

  • 子类别

    Memory & Data Storage

  • 技术

    SDRAM - Mobile LPDDR4X

  • 电压 - 供电

    1.06V ~ 1.17V

  • 内存大小

    32Gbit

  • 时钟频率

    2.133 GHz

  • 访问时间

    3.5 ns

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 组织结构

    1 G x 32

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    18ns

  • 产品类别

    DRAM

  • 产品类别

    DRAM

  • 组织的记忆

    1G x 32

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MT53E1G32D2FW-046 IT:B拓展信息

M28W320FCB70N6E
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Micron Technology Inc.

M29W800DB70N6E
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Micron Technology Inc.

JS28F512M29EWHA
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Micron Technology Inc.

M29W320EB70ZE6E
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Micron Technology Inc.

M29W160EB70ZA6E
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MT48LC16M16A2P-7E:G
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M29W160EB70N6E
M29W160EB70N6E

Micron Technology Inc.

M29W160ET70N6E
M29W160ET70N6E

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PC28F00AM29EWHA
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