Micron Technology MT53E256M16D1FW-046 AAT:B TR

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

200-TFBGA

供应商器件包装

200-TFBGA (10x14.5)

RoHS

Compliant

Package

Tape & Reel (TR)

厂商

Micron Technology Inc.

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

操作温度

-40°C ~ 105°C (TC)

系列

Automotive, AEC-Q100

最高工作温度

85 °C

最小工作温度

-40 °C

电容量

190 pF

技术

SDRAM - Mobile LPDDR4X

电压 - 供电

1.06V ~ 1.17V

内存大小

4Gbit

时钟频率

2.133 GHz

引线/基座样式

Radial

访问时间

3.5 ns

内存格式

DRAM

内存接口

Parallel

写入周期时间 - 字符、页面

18ns

ESD保护

无

压敏电压

360 V

组织的记忆

256M x 16