Micron Technology MT53E256M16D1FW-046 AUT:B TR
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MT53E256M16D1FW-046 AUT:B TR
1616-MT53E256M16D1FW-046 AUT:B TR
存储器
200-TFBGA
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LPDDR4 4G 256MX16 FBGA
1最小包装量--
MT53E256M16D1FW-046 AUT:B TR详情
Micron Technology MT53E256M16D1FW-046 AUT:B TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
面板安装
包装/外壳
200-TFBGA
供应商器件包装
200-TFBGA (10x14.5)
Voltage Rating DC
28V
Contact Materials
银合金
Voltage Rating AC
115V
Package
Tape & Reel (TR)
厂商
Micron Technology Inc.
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
系列
44
操作温度
-40°C ~ 125°C (TC)
零件状态
活跃
定位的数量
2 ~ 4
技术
SDRAM - Mobile LPDDR4X
电压 - 供电
1.06V ~ 1.17V
额定电流
1A (AC/DC)
触点表面处理
--
终端样式
焊片
执行器类型
Flatted (6.35mm Dia)
面板开孔尺寸
--
内存大小
4Gbit
时钟频率
2.133 GHz
访问时间
3.5 ns
甲板数量
2
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
操作力
5.761 ~ 83gfm
写入周期时间 - 字符、页面
18ns
触点定时
Shorting (MBB)
索引停止
可调式
每层电路
3P4T
面板后深度
34.82mm
每个甲板的杆数
3
投掷角度
30°
特征
--
组织的记忆
256M x 16
执行器长度
11.10mm
MT53E256M16D1FW-046 AUT:B TR拓展信息
Micron Technology Inc.
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