MT53E256M16D1FW-046 AUT:B TR
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Micron Technology MT53E256M16D1FW-046 AUT:B TR

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型号

MT53E256M16D1FW-046 AUT:B TR

utmel 编号

1616-MT53E256M16D1FW-046 AUT:B TR

商品类别

存储器

封装

200-TFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

LPDDR4 4G 256MX16 FBGA

起订量

1最小包装量--

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MT53E256M16D1FW-046 AUT:B TR
MT53E256M16D1FW-046 AUT:B TR Micron Technology LPDDR4 4G 256MX16 FBGA

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MT53E256M16D1FW-046 AUT:B TR详情

Micron Technology MT53E256M16D1FW-046 AUT:B TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    面板安装

  • 包装/外壳

    200-TFBGA

  • 供应商器件包装

    200-TFBGA (10x14.5)

  • Voltage Rating DC

    28V

  • Contact Materials

    银合金

  • Voltage Rating AC

    115V

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • 厂商

    Micron Technology Inc.

  • Product Status

    活跃

  • Memory Types

    Volatile

  • 系列

    44

  • 操作温度

    -40°C ~ 125°C (TC)

  • 零件状态

    活跃

  • 定位的数量

    2 ~ 4

  • 技术

    SDRAM - Mobile LPDDR4X

  • 电压 - 供电

    1.06V ~ 1.17V

  • 额定电流

    1A (AC/DC)

  • 触点表面处理

    --

  • 终端样式

    焊片

  • 执行器类型

    Flatted (6.35mm Dia)

  • 面板开孔尺寸

    --

  • 内存大小

    4Gbit

  • 时钟频率

    2.133 GHz

  • 访问时间

    3.5 ns

  • 甲板数量

    2

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 操作力

    5.761 ~ 83gfm

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    18ns

  • 触点定时

    Shorting (MBB)

  • 索引停止

    可调式

  • 每层电路

    3P4T

  • 面板后深度

    34.82mm

  • 每个甲板的杆数

    3

  • 投掷角度

    30°

  • 特征

    --

  • 组织的记忆

    256M x 16

  • 执行器长度

    11.10mm

0个相似型号

MT53E256M16D1FW-046 AUT:B TR拓展信息

M28W320FCB70N6E
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Micron Technology Inc.

M29W800DB70N6E
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Micron Technology Inc.

JS28F512M29EWHA
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Micron Technology Inc.

M29W320EB70ZE6E
M29W320EB70ZE6E

Micron Technology Inc.

M29W160EB70ZA6E
M29W160EB70ZA6E

Micron Technology Inc.

MT48LC16M16A2P-7E:G
MT48LC16M16A2P-7E:G

Micron Technology Inc.

M29W160EB70N6E
M29W160EB70N6E

Micron Technology Inc.

M29W160ET70N6E
M29W160ET70N6E

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PC28F00AM29EWHA
PC28F00AM29EWHA

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