Micron Technology MT53E256M16D1FW-046 WT:B
- 收藏
- 对比
MT53E256M16D1FW-046 WT:B
1616-MT53E256M16D1FW-046 WT:B
存储器
200-TFBGA
大陆
立即发货

LPDDR4 4G 256MX16 FBGA
1最小包装量--
MT53E256M16D1FW-046 WT:B详情
Micron Technology MT53E256M16D1FW-046 WT:B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
200-TFBGA
供应商器件包装
200-TFBGA (10x14.5)
Package
Box
厂商
Micron Technology Inc.
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
DRAM Type
LPDDR4
操作温度
-30°C ~ 85°C (TC)
系列
-
技术
SDRAM - Mobile LPDDR4X
电压 - 供电
1.06V ~ 1.17V
内存大小
4Gbit
时钟频率
2.133 GHz
访问时间
3.5 ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
18ns
组织的记忆
256M x 16
MT53E256M16D1FW-046 WT:B拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.







哦! 它是空的。