MT53E256M16D1FW-046 WT:B TR
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Micron Technology MT53E256M16D1FW-046 WT:B TR

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型号

MT53E256M16D1FW-046 WT:B TR

utmel 编号

1616-MT53E256M16D1FW-046 WT:B TR

商品类别

存储器

封装

200-TFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

LPDDR4 4G 256MX16 FBGA

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MT53E256M16D1FW-046 WT:B TR
MT53E256M16D1FW-046 WT:B TR Micron Technology LPDDR4 4G 256MX16 FBGA

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MT53E256M16D1FW-046 WT:B TR详情

Micron Technology MT53E256M16D1FW-046 WT:B TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    200-TFBGA

  • 供应商器件包装

    200-TFBGA (10x14.5)

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • 厂商

    Micron Technology Inc.

  • Product Status

    活跃

  • Memory Types

    Volatile

  • Maximum Clock Frequency

    2.133 GHz

  • Maximum Operating Temperature

    + 85 C

  • Supply Voltage-Max

    1.1 V

  • Minimum Operating Temperature

    - 25 C

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • 操作温度

    -30°C ~ 85°C (TC)

  • 系列

    -

  • 类型

    SDRAM Mobile - LPDDR4

  • 技术

    SDRAM - Mobile LPDDR4X

  • 电压 - 供电

    1.06V ~ 1.17V

  • 内存大小

    4Gbit

  • 时钟频率

    2.133 GHz

  • 访问时间

    3.5 ns

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 数据总线宽度

    16 bit

  • 组织结构

    256 M x 16

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    18ns

  • 组织的记忆

    256M x 16

0个相似型号

MT53E256M16D1FW-046 WT:B TR拓展信息

M28W320FCB70N6E
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M29W800DB70N6E
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JS28F512M29EWHA
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MT48LC16M16A2P-7E:G
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M29W160ET70N6E
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PC28F00AM29EWHA
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