Micron Technology MT53E256M32D2FW-046 AIT:B TR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

200-TFBGA

供应商器件包装

200-TFBGA (10x14.5)

Package

Bulk

厂商

Micro-Measurements (Division of Vishay Precision Group)

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Maximum Clock Frequency

2.133 GHz

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Supply Voltage-Max

1.1 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Mounting Styles

SMD/SMT

操作温度

-452 ~ 550°F (-269 ~ 290°C)

系列

WK

类型

SDRAM Mobile - LPDDR4

电阻

350 Ohms

技术

SDRAM - Mobile LPDDR4X

电压 - 供电

1.06V ~ 1.17V

内存大小

8Gbit

时钟频率

2.133 GHz

访问时间

3.5 ns

内存格式

DRAM

内存接口

Parallel

数据总线宽度

32 bit

组织结构

256 M x 32

写入周期时间 - 字符、页面

18ns

电阻公差

±0.3%

图案类型

Linear

应变范围

±1.5%

组织的记忆

256M x 32

长度 - 整体

0.52 (13.2mm)

宽度 - 整体

0.22 (5.6mm)

长度 - 活动

0.250 (6.35mm)

宽度 - 有效

0.125 (3.18mm)

长度 - 整体图案

0.375 (9.53mm)

宽度 - 整体图案

0.125 (3.18mm)