Micron Technology MT53E2G32D4DE-046 AAT:A TR
- 收藏
- 对比
MT53E2G32D4DE-046 AAT:A TR
1616-MT53E2G32D4DE-046 AAT:A TR
存储器
200-TFBGA
大陆
立即发货

LPDDR4 64G 1GX64 FBGA QDP
1最小包装量--
MT53E2G32D4DE-046 AAT:A TR详情
Micron Technology MT53E2G32D4DE-046 AAT:A TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
200-TFBGA
供应商器件包装
200-TFBGA (10x14.5)
Package
Tape & Reel (TR)
厂商
Micron Technology Inc.
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Maximum Clock Frequency
2.133 GHz
Maximum Operating Temperature
+ 105 C
Supply Voltage-Max
1.1 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Styles
SMD/SMT
操作温度
-40°C ~ 105°C (TC)
系列
Automotive, AEC-Q100
类型
SDRAM Mobile - LPDDR4
技术
SDRAM - Mobile LPDDR4X
电压 - 供电
1.06V ~ 1.17V
内存大小
64Gbit
时钟频率
2.133 GHz
访问时间
3.5 ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
32 bit
组织结构
2 G x 32
写入周期时间 - 字符、页面
18ns
组织的记忆
2G x 32
MT53E2G32D4DE-046 AAT:A TR拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.







哦! 它是空的。