Micron Technology MT53E2G64D8TN-046 WT:A
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MT53E2G64D8TN-046 WT:A
1616-MT53E2G64D8TN-046 WT:A
存储器
0402 (1005 Metric)
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LPDDR4 128GBIT 64 556/841 LFBGA 8 WT
1最小包装量--
MT53E2G64D8TN-046 WT:A详情
Micron Technology MT53E2G64D8TN-046 WT:A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
0402 (1005 Metric)
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
0402
Package
Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Product Status
活跃
厂商
Stackpole Electronics Inc
Memory Types
Volatile
DRAM Type
LPDDR4
操作温度
-55°C ~ 155°C
系列
RMEF
尺寸/尺寸
0.039 L x 0.020 W (1.00mm x 0.50mm)
容差
±1%
终止次数
2
温度系数
±100ppm/°C
电阻
200 kOhms
组成
厚膜
功率(瓦特)
0.063W, 1/16W
技术
SDRAM - Mobile LPDDR4X
电压 - 供电
1.06V ~ 1.17V
失败率
-
内存大小
128Gbit
时钟频率
2.133 GHz
访问时间
3.5 ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
18ns
特征
Automotive AEC-Q200
组织的记忆
2G x 64
座位高度(最大)
0.014 (0.35mm)
评级结果
-
MT53E2G64D8TN-046 WT:A拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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