Micron Technology MT53E384M32D2FW-046 AAT:E TR
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MT53E384M32D2FW-046 AAT:E TR
1616-MT53E384M32D2FW-046 AAT:E TR
存储器
200-TFBGA
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IC DRAM
1最小包装量--
MT53E384M32D2FW-046 AAT:E TR详情
Micron Technology MT53E384M32D2FW-046 AAT:E TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
Free Hanging (In-Line)
包装/外壳
200-TFBGA
越来越多的功能
-
触点形状
Circular
外壳材料
Aluminum
供应商器件包装
200-TFBGA (10x14.5)
插入材料
-
Package
Bulk
Base Product Number
TV06RW
Contact Sizes
22D (97), 8 Twinax (2)
厂商
Amphenol Aerospace Operations
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
操作温度
-65°C ~ 175°C
系列
MIL-DTL-38999 Series III, Tri-Start™ TV
连接器类型
Plug Housing
类型
用于公引脚
定位的数量
99 (97 + 2 Twinax)
紧固类型
Threaded
触点类型
Crimp
技术
SDRAM - Mobile LPDDR4X
电压 - 供电
1.06V ~ 1.17V
方向
B
屏蔽/屏蔽
Shielded
入口保护
抗环境干扰
外壳完成
Cadmium
外壳尺寸-插入
25-7
房屋颜色
橄榄色
注意
不包括触点
内存大小
12Gbit
外壳尺寸,MIL
-
时钟频率
1.066 GHz
访问时间
3.5 ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
18ns
包括
-
特征
Coupling Nut, Self Locking
组织的记忆
384M x 32
材料可燃性等级
-
MT53E384M32D2FW-046 AAT:E TR拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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