Micron Technology MT53E4G32D8GS-046 WT ES:C
- 收藏
- 对比
MT53E4G32D8GS-046 WT ES:C
1616-MT53E4G32D8GS-046 WT ES:C
存储器
-
大陆
立即发货

LPDDR4 128GBIT 32 200/264 LFBGA
1最小包装量--
MT53E4G32D8GS-046 WT ES:C详情
Micron Technology MT53E4G32D8GS-046 WT ES:C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
-
包装/外壳
-
供应商器件包装
-
Package
Box
厂商
Micron Technology Inc.
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1360
Part # Aliases
698284-TRAY
Manufacturer
美光技术
Brand
Micron
RoHS
Details
Mounting Styles
SMD/SMT
操作温度
-25°C ~ 85°C
系列
-
子类别
Memory & Data Storage
技术
SDRAM - Mobile LPDDR4
电压 - 供电
-
内存大小
128Gbit
时钟频率
2.133 GHz
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
-
产品类别
DRAM
产品类别
DRAM
组织的记忆
4G x 32
MT53E4G32D8GS-046 WT ES:C拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.







哦! 它是空的。