Micron Technology MT53E512M16D1FW-046 AAT:D TR
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MT53E512M16D1FW-046 AAT:D TR
1616-MT53E512M16D1FW-046 AAT:D TR
存储器
200-TFBGA
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LPDDR4 8G 512MX16 FBGA
1最小包装量--
MT53E512M16D1FW-046 AAT:D TR详情
Micron Technology MT53E512M16D1FW-046 AAT:D TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Gold
底架
Cable, Free Hanging
安装类型
表面贴装
包装/外壳
200-TFBGA
供应商器件包装
200-TFBGA (10x14.5)
介电材料
PTFE
本体材质
Brass
Voltage, Rating
500 V
RoHS
Compliant
Package
Tape & Reel (TR)
厂商
Micron Technology Inc.
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Maximum Clock Frequency
2.133 GHz
Maximum Operating Temperature
+ 105 C
Supply Voltage-Max
1.1 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Styles
SMD/SMT
包装
Bulk
操作温度
-40°C ~ 105°C (TC)
系列
Automotive, AEC-Q100
终端
Crimp
连接器类型
Plug, Socket, TNC
类型
SDRAM Mobile - LPDDR4
最高工作温度
165 °C
最小工作温度
-65 °C
性别
Male
紧固类型
Threaded
技术
SDRAM - Mobile LPDDR4X
电压 - 供电
1.06V ~ 1.17V
方向
Straight
频率
4 GHz
房屋颜色
Silver
内存大小
8Gbit
阻抗
50 Ω
本体镀层
Nickel
时钟频率
2.133 GHz
访问时间
3.5 ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16 bit
组织结构
512 M x 16
写入周期时间 - 字符、页面
18ns
最高频率
4 GHz
组织的记忆
512M x 16
长度
28.47 mm
辐射硬化
无
MT53E512M16D1FW-046 AAT:D TR拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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