Micron Technology MT53E512M32D1ZW-046BAIT:B TR
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MT53E512M32D1ZW-046BAIT:B TR
1616-MT53E512M32D1ZW-046BAIT:B TR
存储器
200-TFBGA
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IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
1最小包装量--
MT53E512M32D1ZW-046BAIT:B TR详情
Micron Technology MT53E512M32D1ZW-046BAIT:B TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
200-TFBGA
供应商器件包装
200-TFBGA (10x14.5)
Package
Tape & Reel (TR)
厂商
Micron Technology Inc.
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Maximum Operating Temperature
+ 95 C
Supply Voltage-Max
1.95 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Supply Voltage-Min
1.7 V
Mounting Styles
SMD/SMT
操作温度
-40°C ~ 95°C (TC)
系列
Automotive, AEC-Q100
类型
SDRAM - LPDDR4
技术
SDRAM - Mobile LPDDR4X
电压 - 供电
1.06V ~ 1.17V
内存大小
16Gbit
时钟频率
2.133 GHz
访问时间
3.5 ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
32 bit
组织结构
512 M x 32
写入周期时间 - 字符、页面
18ns
组织的记忆
512M x 32
MT53E512M32D1ZW-046BAIT:B TR拓展信息
Micron Technology Inc.
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