Micron Technology MT53E512M32D2FW-046 AAT:D TR
- 收藏
- 对比
MT53E512M32D2FW-046 AAT:D TR
1616-MT53E512M32D2FW-046 AAT:D TR
存储器
200-TFBGA
大陆
立即发货

LPDDR4 16G 512MX32 FBGA
1最小包装量--
MT53E512M32D2FW-046 AAT:D TR详情
Micron Technology MT53E512M32D2FW-046 AAT:D TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
200-TFBGA
供应商器件包装
200-TFBGA (10x14.5)
Package
Tape & Reel (TR)
厂商
Micron Technology Inc.
Product Status
最后一次购买
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C ~ 105°C (TC)
系列
Automotive, AEC-Q100
技术
SDRAM - Mobile LPDDR4
电压 - 供电
-
内存大小
16Gbit
时钟频率
2.133 GHz
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
-
组织的记忆
512M x 32
MT53E512M32D2FW-046 AAT:D TR拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.







哦! 它是空的。