Micron Technology MT53E512M64D4NW-046 IT:E TR
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MT53E512M64D4NW-046 IT:E TR
1616-MT53E512M64D4NW-046 IT:E TR
存储器
432-VFBGA
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IC MEMORY DRAM LPDDR4
1最小包装量--
MT53E512M64D4NW-046 IT:E TR详情
Micron Technology MT53E512M64D4NW-046 IT:E TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
432-VFBGA
供应商器件包装
432-VFBGA (15x15)
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
MT53E512
厂商
Micron Technology Inc.
Product Status
Obsolete
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C ~ 95°C (TC)
系列
-
技术
SDRAM - Mobile LPDDR4
电压 - 供电
1.1V
内存大小
32Gbit
时钟频率
2.133 GHz
内存格式
DRAM
内存接口
-
写入周期时间 - 字符、页面
-
组织的记忆
512M x 64
MT53E512M64D4NW-046 IT:E TR拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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