注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

Micron Technology MT53E768M32D4DE-046 WT:E TR

Name: MT53E768M32D4DE-046 WT:E TR
Brand: Micron Technology
SKU: 1616-MT53E768M32D4DE-046 WT:E TR
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

MT53E768M32D4DE-046 WT:E TR

品牌

Micron Technology

utmel 编号

1616-MT53E768M32D4DE-046 WT:E TR

商品类别

存储器

封装

200-TFBGA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

LPDDR4 24G 768MX32 FBGA QDP

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表

MT53E768M32D4DE-046 WT:E TR Micron Technology LPDDR4 24G 768MX32 FBGA QDP

请发送询价，我们将立即回复。

库存:

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

MT53E768M32D4DE-046 WT:E TR详情

技术参数

Micron Technology MT53E768M32D4DE-046 WT:E TR重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

200-TFBGA
供应商器件包装

200-TFBGA (10x14.5)
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1
Manufacturer

IDEC
Brand

IDEC
Package

Tape & Reel (TR)
厂商

Micron Technology Inc.
Product Status

活跃
Memory Types

Volatile
系列

TLu
操作温度

-25°C ~ 85°C
子类别

Sensors
技术

SDRAM - Mobile LPDDR4
电压 - 供电

1.06V ~ 1.17V
内存大小

24Gbit
时钟频率

2.133 GHz
访问时间

3.5 ns
内存格式

DRAM
内存接口

Parallel
写入周期时间 - 字符、页面

18ns
产品类别

光电传感器
产品类别

光电传感器
组织的记忆

768M x 32

0个相似型号

MT53E768M32D4DE-046 WT:E TR拓展信息

热销零件

相关分类

热门搜索

MT53E768M32D4DE-046 WT:E TR零件

M28W320FCB70N6E

Micron Technology Inc.

M29W800DB70N6E

Micron Technology Inc.

JS28F512M29EWHA

Micron Technology Inc.

M29W320EB70ZE6E

Micron Technology Inc.

M29W160EB70ZA6E

Micron Technology Inc.

MT48LC16M16A2P-7E:G

Micron Technology Inc.

M29W160EB70N6E

Micron Technology Inc.

MT29F64G08AJABAWP-IT:B TR

Micron

M29W160ET70N6E

Micron Technology Inc.

PC28F00AM29EWHA

Micron Technology Inc.

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z