Micron Technology MT53E768M64D4HJ-046 AAT:A

包装/外壳

556-TFBGA

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

556-WFBGA (12.4x12.4)

Built-in depth

70.5

Voltage type

AC

Degree of protection (IP)

IP20

Connectable conductor cross section multi-wired

1.5 - 16

Pollution degree

2

Connectable conductor cross section solid-core

1.5 - 35

Memory Types

Volatile

Product Status

Obsolete

厂商

Micron Technology Inc.

Package

Bulk

系列

Automotive, AEC-Q100

操作温度

-40°C ~ 105°C (TC)

技术

SDRAM - Mobile LPDDR4

电压 - 供电

1.06V ~ 1.17V

频率

50/60 Hz

内存大小

48Gbit

时钟频率

2.133 GHz

访问时间

3.5 ns

内存格式

DRAM

内存接口

Parallel

写入周期时间 - 字符、页面

18ns

组织的记忆

768M x 64