Micron Technology MT53E768M64D4HJ-046 AIT:B TR
- 收藏
- 对比
MT53E768M64D4HJ-046 AIT:B TR
1616-MT53E768M64D4HJ-046 AIT:B TR
存储器
556-TFBGA
大陆
立即发货

LPDDR4 48G 768MX64 FBGA QDP
1最小包装量--
MT53E768M64D4HJ-046 AIT:B TR详情
Micron Technology MT53E768M64D4HJ-046 AIT:B TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
556-TFBGA
供应商器件包装
556-WFBGA (12.4x12.4)
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
TE Connectivity
Brand
TE Connectivity / Raychem
RoHS
Details
Package
Tape & Reel (TR)
厂商
Micron Technology Inc.
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C ~ 95°C (TC)
系列
Automotive, AEC-Q100
子类别
Circular Connectors
技术
SDRAM - Mobile LPDDR4X
电压 - 供电
1.06V ~ 1.17V
内存大小
48Gbit
时钟频率
2.133 GHz
访问时间
3.5 ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
18ns
产品类别
军规圆形连接器
产品类别
军规圆形连接器
组织的记忆
768M x 64
MT53E768M64D4HJ-046 AIT:B TR拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.







哦! 它是空的。