Micron Technology MT54W512H36BF-6
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MT54W512H36BF-6
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MT54W512H36BF-6详情
Micron Technology MT54W512H36BF-6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
Cable
表面安装
YES
终端数量
165
RoHS
Non-Compliant
Insulation Materials
PVC
Access Time-Max
0.5 ns
Package Equivalence Code
BGA165,11X15,40
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Number of Words Code
512000
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE
Package Description
13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
Part Package Code
BGA
Risk Rank
5.65
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Part Life Cycle Code
Transferred
Manufacturer
Micron Technology Inc
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
TBGA
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Number of Words
524288 words
Clock Frequency-Max (fCLK)
166 MHz
Manufacturer Part Number
MT54W512H36BF-6
Rohs Code
无
Operating Temperature-Max
70 °C
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最小工作温度
-5 °C
颜色
Grey
附加功能
流水线结构
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
165
JESD-30代码
R-PBGA-B165
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
电源
1.5/1.8,1.8 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.55 mA
组织结构
512KX36
输出特性
3-STATE
无卤素
不含卤素
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
36
待机电流-最大值
0.16 A
记忆密度
18874368 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
SEPARATE
内存IC类型
QDR SRAM
外径
5.7 mm
待机电压-最小值
1.7 V
长度
15 mm
宽度
13 mm
MT54W512H36BF-6拓展信息







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