Micron Technology MT5C1008-35

安装类型

表面贴装

包装/外壳

28-BSOJ (0.300, 7.62mm Width)

表面安装

NO

供应商器件包装

28-SOJ

终端数量

32

Memory Types

Volatile

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

128000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

DIP32,.4

Access Time-Max

35 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MT5C1008-35

Number of Words

131072 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Micron Technology Inc

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MICRON TECHNOLOGY INC

Risk Rank

8.75

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

--

包装

Tube

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

SRAMs

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

3 V ~ 3.6 V

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

基本部件号

IDT71V256

JESD-30代码

R-PDIP-T32

资历状况

不合格

电源

5 V

温度等级

COMMERCIAL

内存大小

256Kb (32K x 8)

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.115 mA

访问时间

10ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

128KX8

输出特性

3-STATE

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

10ns

待机电流-最大值

0.005 A

记忆密度

1048576 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

4.5 V