MT62F2G32D4DS-023 IT:C TR
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Micron Technology MT62F2G32D4DS-023 IT:C TR

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型号

MT62F2G32D4DS-023 IT:C TR

utmel 编号

1616-MT62F2G32D4DS-023 IT:C TR

商品类别

存储器

封装

DO-221AC, SMA Flat Leads

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

LPDDR5 64GBIT 32 315/315 TFBGA 4

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MT62F2G32D4DS-023 IT:C TR
MT62F2G32D4DS-023 IT:C TR Micron Technology LPDDR5 64GBIT 32 315/315 TFBGA 4

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MT62F2G32D4DS-023 IT:C TR详情

Micron Technology MT62F2G32D4DS-023 IT:C TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    DO-221AC, SMA Flat Leads

  • 供应商器件包装

    DO-221AC (SMA-FL)

  • Package

    Bulk

  • Base Product Number

    SK310

  • 厂商

    Micro Commercial Co

  • Product Status

    活跃

  • Memory Types

    Volatile

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    2000

  • Part # Aliases

    663319-REEL

  • Manufacturer

    美光技术

  • Brand

    Micron

  • RoHS

    Details

  • 系列

    -

  • 操作温度

    -40°C ~ 95°C

  • 子类别

    Memory & Data Storage

  • 技术

    Schottky

  • 电压 - 供电

    1.05V

  • 内存大小

    64Gbit

  • 速度

    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

  • 反向泄漏电流@ Vr

    5 µA @ 100 V

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    835 mV @ 3 A

  • 时钟频率

    2.133 GHz

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 工作温度 - 结点

    -55°C ~ 175°C

  • 电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)

    100 V

  • 平均整流电流(Io)

    3A

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    -

  • 产品类别

    DRAM

  • 电容@Vr, F

    105pF @ 4V, 1MHz

  • 产品类别

    DRAM

  • 组织的记忆

    2G x 32

0个相似型号

MT62F2G32D4DS-023 IT:C TR拓展信息

M28W320FCB70N6E
M28W320FCB70N6E

Micron Technology Inc.

M29W800DB70N6E
M29W800DB70N6E

Micron Technology Inc.

JS28F512M29EWHA
JS28F512M29EWHA

Micron Technology Inc.

M29W320EB70ZE6E
M29W320EB70ZE6E

Micron Technology Inc.

M29W160EB70ZA6E
M29W160EB70ZA6E

Micron Technology Inc.

MT48LC16M16A2P-7E:G
MT48LC16M16A2P-7E:G

Micron Technology Inc.

M29W160EB70N6E
M29W160EB70N6E

Micron Technology Inc.

M29W160ET70N6E
M29W160ET70N6E

Micron Technology Inc.

PC28F00AM29EWHA
PC28F00AM29EWHA

Micron Technology Inc.

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