Micron Technology MT62F2G32D4DS-026 AAT ES:B
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MT62F2G32D4DS-026 AAT ES:B
1616-MT62F2G32D4DS-026 AAT ES:B
存储器
1812 (4532 Metric)
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LPDDR5 64G 2GX32 FBGA
1最小包装量--
MT62F2G32D4DS-026 AAT ES:B详情
Micron Technology MT62F2G32D4DS-026 AAT ES:B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
Surface Mount, MLCC
包装/外壳
1812 (4532 Metric)
供应商器件包装
200-WFBGA (10x14.5)
Package
Bulk
厂商
Vishay Vitramon
Product Status
Obsolete
Voltage Rated
630V
Memory Types
Volatile
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1050
Part # Aliases
642232-TRAY
Manufacturer
美光技术
Brand
Micron
RoHS
Details
Mounting Styles
SMD/SMT
操作温度
-55°C ~ 125°C
系列
VJ
尺寸/尺寸
0.177 L x 0.126 W (4.50mm x 3.20mm)
容差
±5%
温度系数
C0G, NP0
应用
通用型
电容量
18 pF
子类别
Memory & Data Storage
技术
SDRAM - Mobile LPDDR5
电压 - 供电
1.05V
失败率
-
引线间距
-
内存大小
64Gbit
引线样式
-
时钟频率
3.2 GHz
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
-
产品类别
DRAM
特征
Non-Magnetic
产品类别
DRAM
组织的记忆
2G x 32
座位高度(最大)
-
厚度(最大)
0.086 (2.18mm)
评级结果
-
MT62F2G32D4DS-026 AAT ES:B拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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