MT62F2G32D4DS-026 AAT ES:B
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Micron Technology MT62F2G32D4DS-026 AAT ES:B

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型号

MT62F2G32D4DS-026 AAT ES:B

utmel 编号

1616-MT62F2G32D4DS-026 AAT ES:B

商品类别

存储器

封装

1812 (4532 Metric)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

LPDDR5 64G 2GX32 FBGA

起订量

1最小包装量--

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MT62F2G32D4DS-026 AAT ES:B
MT62F2G32D4DS-026 AAT ES:B Micron Technology LPDDR5 64G 2GX32 FBGA

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MT62F2G32D4DS-026 AAT ES:B详情

Micron Technology MT62F2G32D4DS-026 AAT ES:B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    Surface Mount, MLCC

  • 包装/外壳

    1812 (4532 Metric)

  • 供应商器件包装

    200-WFBGA (10x14.5)

  • Package

    Bulk

  • 厂商

    Vishay Vitramon

  • Product Status

    Obsolete

  • Voltage Rated

    630V

  • Memory Types

    Volatile

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1050

  • Part # Aliases

    642232-TRAY

  • Manufacturer

    美光技术

  • Brand

    Micron

  • RoHS

    Details

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • 操作温度

    -55°C ~ 125°C

  • 系列

    VJ

  • 尺寸/尺寸

    0.177 L x 0.126 W (4.50mm x 3.20mm)

  • 容差

    ±5%

  • 温度系数

    C0G, NP0

  • 应用

    通用型

  • 电容量

    18 pF

  • 子类别

    Memory & Data Storage

  • 技术

    SDRAM - Mobile LPDDR5

  • 电压 - 供电

    1.05V

  • 失败率

    -

  • 引线间距

    -

  • 内存大小

    64Gbit

  • 引线样式

    -

  • 时钟频率

    3.2 GHz

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    -

  • 产品类别

    DRAM

  • 特征

    Non-Magnetic

  • 产品类别

    DRAM

  • 组织的记忆

    2G x 32

  • 座位高度(最大)

    -

  • 厚度(最大)

    0.086 (2.18mm)

  • 评级结果

    -

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MT62F2G32D4DS-026 AAT ES:B拓展信息

M28W320FCB70N6E
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Micron Technology Inc.

M29W800DB70N6E
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Micron Technology Inc.

JS28F512M29EWHA
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Micron Technology Inc.

M29W320EB70ZE6E
M29W320EB70ZE6E

Micron Technology Inc.

M29W160EB70ZA6E
M29W160EB70ZA6E

Micron Technology Inc.

MT48LC16M16A2P-7E:G
MT48LC16M16A2P-7E:G

Micron Technology Inc.

M29W160EB70N6E
M29W160EB70N6E

Micron Technology Inc.

M29W160ET70N6E
M29W160ET70N6E

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PC28F00AM29EWHA
PC28F00AM29EWHA

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