Micron Technology MT8VDDT3264HDY-335K1
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MT8VDDT3264HDY-335K1
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DRAM Module DDR SDRAM 256Mbyte 200SODIMM Tray
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MT8VDDT3264HDY-335K1详情
Micron Technology MT8VDDT3264HDY-335K1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
Socket
表面安装
NO
引脚数
200
终端数量
200
Package
Bulk
厂商
PEI-Genesis
Product Status
活跃
Number of Elements
8
RoHS
Compliant
Package Description
DIMM, DIMM200,24
Package Style
微电子组件
Number of Words Code
32000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
DIMM200,24
Access Time-Max
0.7 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
MT8VDDT3264HDY-335K1
Clock Frequency-Max (fCLK)
167 MHz
Number of Words
33554432 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Package Code
DIMM
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Micron Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.84
系列
*
最高工作温度
70 °C
最小工作温度
0 °C
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
端子间距
0.6 mm
JESD-30代码
R-PDMA-N200
资历状况
不合格
工作电源电压
2.5 V
电源
2.5 V
温度等级
COMMERCIAL
最大电源电压
2.7 V
最小电源电压
2.3 V
电源电流-最大值
1.28 mA
组织结构
32MX64
输出特性
3-STATE
内存宽度
64
待机电流-最大值
0.032 A
记忆密度
2147483648 bit
最高频率
333 MHz
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR内存模块
刷新周期
8192
达到SVHC
unknown
MT8VDDT3264HDY-335K1拓展信息







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