Micron Technology MT9HTF6472RHY-53ED1
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MT9HTF6472RHY-53ED1
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MT9HTF6472RHY-53ED1详情
Micron Technology MT9HTF6472RHY-53ED1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
NO
终端数量
200
Number of Words Code
64000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
DIMM200,24
Access Time-Max
0.5 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
有
Package Style
微电子组件
Package Description
DIMM, DIMM200,24
Manufacturer Part Number
MT9HTF6472RHY-53ED1
Clock Frequency-Max (fCLK)
267 MHz
Number of Words
67108864 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
DIMM
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Micron Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.84
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
端子间距
0.6 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDMA-N200
资历状况
不合格
电源
1.8 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电流-最大值
2.025 mA
组织结构
64MX72
输出特性
3-STATE
内存宽度
72
待机电流-最大值
0.063 A
记忆密度
4831838208 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR内存模块
刷新周期
8192
MT9HTF6472RHY-53ED1拓展信息







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