Micron Technology MTA9ASF51272PZ-2G1A1
- 收藏
- 对比
MTA9ASF51272PZ-2G1A1
1616-MTA9ASF51272PZ-2G1A1
存储器
--
大陆
立即发货

DRAM Chip DDR SDRAM 4G-Byte 512Mx72 1.2V 284-Pin DIMM
1最小包装量--
MTA9ASF51272PZ-2G1A1详情
Micron Technology MTA9ASF51272PZ-2G1A1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
288
Package Description
DIMM,
Package Style
微电子组件
Number of Words Code
512000000
Package Body Material
UNSPECIFIED
Operating Temperature-Max
85 °C
Manufacturer Part Number
MTA9ASF51272PZ-2G1A1
Number of Words
536870912 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.2 V
Package Code
DIMM
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Micron Technology Inc
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.71
附加功能
AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
功能数量
1
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-XDMA-N288
温度等级
OTHER
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
512MX72
座位高度-最大
31.4 mm
内存宽度
72
记忆密度
38654705664 bit
内存IC类型
DDR内存模块
电压 - 供电 (最大值)
1.26 V
电压 - 供电 (最小值)
1.14 V
访问模式
单库页面突发
自我刷新
YES
宽度
3.9 mm
长度
133.35 mm
MTA9ASF51272PZ-2G1A1拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.







哦! 它是空的。