Micron Technology NAND01GR3B2AZA6
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NAND01GR3B2AZA6
1616-NAND01GR3B2AZA6
无类别的
Axial
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1最小包装量--
NAND01GR3B2AZA6详情
Micron Technology NAND01GR3B2AZA6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
Axial
表面安装
YES
终端数量
63
Lead Free Status / RoHS Status
--
Voltage Rated
50V
Lifetime @ Temp.
--
Package Description
TFBGA,
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
128000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Operating Temperature-Max
85 °C
Manufacturer Part Number
NAND01GR3B2AZA6
Number of Words
134217728 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
TFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Micron Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.29
Part Package Code
BGA
操作温度
-55°C ~ 125°C
系列
Military, MIL-PRF-39003/9, CSR21
包装
Tape & Reel (TR)
尺寸/尺寸
0.289 Dia x 0.686 L (7.34mm x 17.42mm)
容差
±5%
零件状态
活跃
ECCN 代码
3A991.B.1.A
类型
密封
HTS代码
8542.32.00.51
电容量
12µF
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
63
JESD-30代码
R-PBGA-B63
ESR(等效串联电阻)
--
失败率
D (0.001%)
引线间距
--
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
制造商的尺寸代码
C
组织结构
128MX8
座位高度-最大
1.05 mm
内存宽度
8
记忆密度
1073741824 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
1.8 V
特征
Military
座位高度(最大)
--
宽度
9.5 mm
长度
12 mm
评级结果
--
NAND01GR3B2AZA6拓展信息







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