Micron Technology NAND01GR3B2BZA6
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NAND01GR3B2BZA6
1616-NAND01GR3B2BZA6
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NAND01GR3B2BZA6详情
Micron Technology NAND01GR3B2BZA6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
63
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
3000
Manufacturer
CTS
Brand
CTS电子元件
RoHS
Details
Package Description
TFBGA,
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
128000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
35 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
NAND01GR3B2BZA6
Number of Words
134217728 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
TFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Risk Rank
5.08
Part Package Code
BGA
系列
525
包装
Reel
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
3A991.B.1.A
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.51
子类别
Oscillators
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
63
JESD-30代码
R-PBGA-B63
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
128MX8
座位高度-最大
1.05 mm
内存宽度
8
产品类别
TCXO
记忆密度
1073741824 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
输出格式
削波正弦波
编程电压
1.8 V
产品类别
TCXO 振荡器
宽度
9.5 mm
长度
12 mm
NAND01GR3B2BZA6拓展信息







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