Micron Technology NAND01GR3B2CN6E
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NAND01GR3B2CN6E
1616-NAND01GR3B2CN6E
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NAND01GR3B2CN6E详情
Micron Technology NAND01GR3B2CN6E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
48
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
3000
Manufacturer
CTS
Brand
CTS电子元件
RoHS
Details
Package Description
TSSOP, TSSOP48,.8,20
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
Number of Words Code
128000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSSOP48,.8,20
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
30
Access Time-Max
30 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
NAND01GR3B2CN6E
Number of Words
134217728 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
TSSOP
Package Shape
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.6
Part Package Code
TSOP
系列
525
包装
Reel
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
3A991.B.1.A
类型
SLC NAND类型
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
HTS代码
8542.32.00.51
子类别
Oscillators
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
48
JESD-30代码
R-PDSO-G48
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
电源
1.8 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.02 mA
组织结构
128MX8
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
产品类别
TCXO
待机电流-最大值
0.00005 A
记忆密度
1073741824 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
输出格式
削波正弦波
编程电压
1.8 V
数据轮询
NO
拨动位
NO
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
1K
行业规模
128K
页面尺寸
2K words
准备就绪/忙碌
YES
产品类别
TCXO 振荡器
宽度
12 mm
长度
18.4 mm
NAND01GR3B2CN6E拓展信息







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