Micron Technology NAND01GW3B2CZA6F

表面安装

YES

终端数量

63

Access Time-Max

25000 ns

Ihs Manufacturer

MICRON TECHNOLOGY INC

Manufacturer

Micron Technology Inc

Manufacturer Part Number

NAND01GW3B2CZA6F

Number of Words

134217728 words

Number of Words Code

128000000

Operating Temperature-Max

85 °C

Operating Temperature-Min

-40 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Code

TFBGA

Package Description

TFBGA, BGA63,10X12,32

Package Equivalence Code

BGA63,10X12,32

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

Part Life Cycle Code

Obsolete

Part Package Code

BGA

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Risk Rank

5.68

Rohs Code

有

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3 V

ECCN 代码

3A991.B.1.A

类型

SLC NAND类型

HTS代码

8542.32.00.51

子类别

闪存

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

63

JESD-30代码

R-PBGA-B63

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

电源

3/3.3 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.7 V

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.03 mA

组织结构

128MX8

座位高度-最大

1.05 mm

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.00005 A

记忆密度

1073741824 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

FLASH

编程电压

3 V

写入周期时间 - 最大值

25 ms

数据轮询

NO

拨动位

NO

命令用户界面

YES

扇区/尺寸数

1K

行业规模

128K

页面尺寸

2K words

准备就绪/忙碌

YES

长度

11 mm

宽度

9 mm