Micron Technology NAND08GW3B2CN1F
- 收藏
- 对比
NAND08GW3B2CN1F
1616-NAND08GW3B2CN1F
存储器
--
大陆
立即发货

NAND Flash Parallel 3V/3.3V 8Gbit 1G x 8bit 25us 48-Pin TSOP T/R (Alt: NAND08GW3B2CN1F)
1最小包装量--
NAND08GW3B2CN1F详情
Micron Technology NAND08GW3B2CN1F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
48
Package
Bulk
Base Product Number
173109
厂商
Molex
Product Status
活跃
Package Description
TSSOP, TSSOP48,.8,20
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
Number of Words Code
1000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSSOP48,.8,20
Reflow Temperature-Max (s)
30
Access Time-Max
20 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
NAND08GW3B2CN1F
Number of Words
1048576 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Code
TSSOP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Micron Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.7
Part Package Code
TSOP
系列
*
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
类型
SLC NAND类型
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
HTS代码
8542.32.00.51
子类别
闪存
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
48
JESD-30代码
R-PDSO-G48
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3/3.3 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.03 mA
组织结构
1MX8
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.00005 A
记忆密度
8388608 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
3 V
数据轮询
NO
拨动位
NO
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
8K
行业规模
128K
页面尺寸
2K words
准备就绪/忙碌
YES
宽度
12 mm
长度
18.4 mm
NAND08GW3B2CN1F拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.







哦! 它是空的。