NAND512W3A2BZA6F
NAND512W3A2BZA6F

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Micron Technology NAND512W3A2BZA6F

  • 收藏
  • 对比

型号

NAND512W3A2BZA6F

utmel 编号

1616-NAND512W3A2BZA6F

商品类别

存储器

封装

1505 (3812 Metric)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SLC NAND Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M x 8bit 12us 63-Pin VFBGA T/R (Alt: NAND512W3A2BZA6F)

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
NAND512W3A2BZA6F
NAND512W3A2BZA6F Micron Technology SLC NAND Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M x 8bit 12us 63-Pin VFBGA T/R (Alt: NAND512W3A2BZA6F)

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

NAND512W3A2BZA6F详情

Micron Technology NAND512W3A2BZA6F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    1505 (3812 Metric)

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    --

  • 操作温度

    -55°C ~ 125°C

  • 系列

    VFCD1505

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 尺寸/尺寸

    0.150 L x 0.050 W (3.81mm x 1.27mm)

  • 容差

    ±0.1%

  • 零件状态

    活跃

  • 温度系数

    ±0.2ppm/°C

  • 应用

    Voltage Divider (TCR Matched)

  • 电阻数

    2

  • 电路型态

    分压器

  • 每个元件的功率

    50mW

  • 电阻比漂移

    ±0.4 ppm/°C

  • 电阻(欧姆)

    2.5k, 10k

  • 电阻匹配比

    ±0.01%

  • 座位高度(最大)

    0.025 (0.64mm)

0个相似型号

NAND512W3A2BZA6F拓展信息

M28W320FCB70N6E
M28W320FCB70N6E

Micron Technology Inc.

M29W800DB70N6E
M29W800DB70N6E

Micron Technology Inc.

JS28F512M29EWHA
JS28F512M29EWHA

Micron Technology Inc.

M29W320EB70ZE6E
M29W320EB70ZE6E

Micron Technology Inc.

M29W160EB70ZA6E
M29W160EB70ZA6E

Micron Technology Inc.

MT48LC16M16A2P-7E:G
MT48LC16M16A2P-7E:G

Micron Technology Inc.

M29W160EB70N6E
M29W160EB70N6E

Micron Technology Inc.

M29W160ET70N6E
M29W160ET70N6E

Micron Technology Inc.

PC28F00AM29EWHA
PC28F00AM29EWHA

Micron Technology Inc.

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z