Micron Technology Inc. EDB1316BDBH-1DAUT-F-D
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EDB1316BDBH-1DAUT-F-D
1616-EDB1316BDBH-1DAUT-F-D
存储器
134-VFBGA
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IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
1最小包装量--
EDB1316BDBH-1DAUT-F-D详情
Micron Technology Inc. EDB1316BDBH-1DAUT-F-D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
134-VFBGA
供应商器件包装
134-VFBGA (10x11.5)
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~125°C TC
包装
Bulk
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
电压 - 供电
1.14V~1.95V
内存大小
1Gb 64M x 16
时钟频率
533MHz
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
RoHS状态
ROHS3 Compliant
EDB1316BDBH-1DAUT-F-D拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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