Micron Technology Inc. EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR
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EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR
1616-EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR
存储器
134-VFBGA
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IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
1最小包装量--
EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR详情
Micron Technology Inc. EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
134-VFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~125°C TC
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
134
ECCN 代码
EAR99
电压 - 供电
1.14V~1.95V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.65mm
JESD-30代码
R-PBGA-B134
电源电压-最大值(Vsup)
1.95V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
1Gb 32M x 32
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
533MHz
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
64MX16
内存宽度
16
记忆密度
1073741824 bit
访问模式
单库页面突发
长度
11.5mm
座位高度(最大)
1mm
宽度
10mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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