注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

Micron Technology Inc. EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR

Name: EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: 1616-EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR

品牌

Micron Technology Inc.

utmel 编号

1616-EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR

商品类别

存储器

封装

134-VFBGA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表

EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

请发送询价，我们将立即回复。

库存:

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR详情

技术参数

PDF文档

Micron Technology Inc. EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

134-VFBGA
Memory Types

Volatile
操作温度

-40°C~85°C TC
包装

Tape & Reel (TR)
JESD-609代码

e1
零件状态

最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
电压 - 供电

1.14V~1.95V
峰值回流焊温度（摄氏度）

260
时间@峰值回流温度-最大值(s)

30
内存大小

1Gb 32M x 32
时钟频率

533MHz
内存格式

DRAM
内存接口

Parallel
RoHS状态

ROHS3 Compliant

0个相似型号

EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR拓展信息

热销零件

相关分类

热门搜索

EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR零件

M28W320FCB70N6E

Micron Technology Inc.

M29W800DB70N6E

Micron Technology Inc.

JS28F512M29EWHA

Micron Technology Inc.

M29W320EB70ZE6E

Micron Technology Inc.

M29W160EB70ZA6E

Micron Technology Inc.

MT48LC16M16A2P-7E:G

Micron Technology Inc.

M29W160EB70N6E

Micron Technology Inc.

MT29F64G08AJABAWP-IT:B TR

Micron

M29W160ET70N6E

Micron Technology Inc.

PC28F00AM29EWHA

Micron Technology Inc.

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z