Micron Technology Inc. EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D
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EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D
1616-EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D
存储器
134-WFBGA
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IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
--最小包装量--
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D详情
Micron Technology Inc. EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
表面安装
YES
包装/外壳
134-WFBGA
安装类型
表面贴装
Memory Types
Volatile
包装
Bulk
操作温度
-40°C~85°C TC
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
134
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOMINAL SUPPLY
电压 - 供电
1.14V~1.95V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
1.2V
端子间距
0.65mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PBGA-B134
电源电压-最大值(Vsup)
1.3V
电源电压-最小值(Vsup)
1.14V
内存大小
4Gb 128M x 32
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
533MHz
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
128MX32
内存宽度
32
记忆密度
4294967296 bit
访问模式
单库页面突发
宽度
10mm
座位高度(最大)
0.75mm
长度
11.5mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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