EDB8132B4PM-1D-F-D
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Micron Technology Inc. EDB8132B4PM-1D-F-D

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型号

EDB8132B4PM-1D-F-D

utmel 编号

1616-EDB8132B4PM-1D-F-D

商品类别

存储器

封装

168-WFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA

起订量

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EDB8132B4PM-1D-F-D Micron Technology Inc. IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA

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EDB8132B4PM-1D-F-D详情

Micron Technology Inc. EDB8132B4PM-1D-F-D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    9 Weeks

  • 触点镀层

    Copper, Silver, Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    168-WFBGA

  • 引脚数

    168

  • Memory Types

    Volatile

  • 操作温度

    -30°C~85°C TC

  • 包装

    Bulk

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    168

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOMINAL SUPPLY

  • 电压 - 供电

    1.14V~1.95V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    1.2V

  • 端子间距

    0.5mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.3V

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.14V

  • 内存大小

    8Gb 256M x 32

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 访问时间

    5.5 ns

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 组织结构

    256MX32

  • 内存宽度

    32

  • 记忆密度

    8589934592 bit

  • 最高频率

    533MHz

  • 长度

    12mm

  • 座位高度(最大)

    0.82mm

  • 宽度

    12mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

EDB8132B4PM-1D-F-D拓展信息

M28W320FCB70N6E
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M29W800DB70N6E
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JS28F512M29EWHA
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M29W160EB70ZA6E
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MT48LC16M16A2P-7E:G
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M29W160ET70N6E
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PC28F00AM29EWHA
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