Micron Technology Inc. EDB8164B4PR-1D-F-D
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EDB8164B4PR-1D-F-D
1616-EDB8164B4PR-1D-F-D
存储器
216-WFBGA
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IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA
--最小包装量--
EDB8164B4PR-1D-F-D详情
Micron Technology Inc. EDB8164B4PR-1D-F-D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
216-WFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
操作温度
-30°C~85°C TC
包装
Tray
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
216
附加功能
AUTO/SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOMINAL SUPPLY
电压 - 供电
1.14V~1.95V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
1.2V
端子间距
0.4mm
JESD-30代码
S-PBGA-B216
电源电压-最大值(Vsup)
1.3V
电源电压-最小值(Vsup)
1.14V
内存大小
8Gb 128M x 64
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
533MHz
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
128MX64
内存宽度
64
记忆密度
8589934592 bit
访问模式
单库页面突发
长度
12mm
座位高度(最大)
0.8mm
宽度
12mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
EDB8164B4PR-1D-F-D拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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